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BAS30LS-Q分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BAS30LS-Q

参数属性

BAS30LS-Q 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 300V 250MA 2DFN

功能描述

High-speed switching diode

丝印标识

3N

封装外壳

DFN1006BD-2 / SOD-882

文件大小

228.69 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 16:38:00

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BAS30LS-Q规格书详情

1. General description

High-speed switching diode, encapsulated in a leadless ultra small DFN1006BD-2 (SOD882BD)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.

2. Features and benefits

• High switching speed: trr ≤ 50 ns

• Low leakage current

• High reverse voltage VR ≤ 300 V

• Low capacitance: Cd ≤ 2 pF

• Ultra small and leadless SMD plastic package

• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• High-speed switching

• General-purpose switching

• Voltage clamping

• Reverse polarity protection

产品属性

  • 产品编号:

    BAS30LS-QYL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    250mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-882

  • 供应商器件封装:

    DFN1006BD-2

  • 工作温度 - 结:

    150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 300V 250MA 2DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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