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BAS29中文资料PDF规格书

BAS29
厂商型号

BAS29

参数属性

BAS29 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

功能描述

General purpose controlled avalanche (double) diodes

文件大小

138.04 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 23:01:00

BAS29规格书详情

DESCRIPTION

General purpose switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in small rectangular plastic SMD SOT23 packages. The BAS29 consists of a single diode. The BAS31 has two diodes in series. The BAS35 has two diodes with a common anode.

FEATURES

• Small plastic SMD package

• Switching speed: max. 50 ns

• General application

• Continuous reverse voltage: max. 90 V

• Repetitive peak reverse voltage: max. 110 V

• Repetitive peak forward current: max. 600 mA

• Repetitive peak reverse current: max. 600 mA.

APPLICATIONS

• General purpose switching in e.g. surface mounted circuits.

产品属性

  • 产品编号:

    BAS29

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
PHILIPS(飞利浦)
21+
SOT23
3800
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onsemi(安森美)
23+
SOT23(TO236)
7350
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NEXPERIA/安世
23+
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23+
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20000
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