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BAS29分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BAS29

参数属性

BAS29 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODE

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

53.09 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

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更新时间

2025-12-12 11:00:00

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BAS29规格书详情

SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODE

BAS29 single diode, BAS31 dual diodes in series and BAS35 dual diodes, common anodes.

产品属性

  • 产品编号:

    BAS29

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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SOT23
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