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BAS21SLT1G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

BAS21SLT1G
厂商型号

BAS21SLT1G

参数属性

BAS21SLT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23

功能描述

Dual Series High Voltage Switching Diode
DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

123.19 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 23:00:00

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BAS21SLT1G规格书详情

BAS21SLT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由安森美半导体公司制造生产的BAS21SLT1G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

Features

• Moisture Sensitivity Level: 1

• ESD Rating − Human Body Model: Class 1

− Machine Model: Class B

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BAS21SLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    1 对串联

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    225mA(DC)

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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