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BAS21LD分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

BAS21LD
厂商型号

BAS21LD

参数属性

BAS21LD 封装/外壳为2-XDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE REV POL 200V 330MA 2DFN

功能描述

High-voltage switching diode

丝印标识

0110

封装外壳

DFN1006D-2 / 2-XDFN

文件大小

213.7 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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BAS21LD规格书详情

1. General description

High-voltage switching diode, encapsulated in an leadless ultra small DFN1006D-2 (SOD882D)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

2. Features and benefits

• High switching speed: trr ≤ 50 ns

• Low leakage current: IR ≤ 100 nA

• High reverse voltage VR ≤ 200 V

• Low capacitance: Cd ≤ 2 pF

• Ultra small and leadless SMD plastic package

• Soldarable side pads

• Package height typ. 0.37 mm

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• High-speed switching

• General-purpose switching

• Voltage clamping

• Reverse polarity protection

产品属性

  • 产品编号:

    BAS21LDYL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准型,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    330mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-XDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006D-2

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE REV POL 200V 330MA 2DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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