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BAS21E6327分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BAS21E6327 |
参数属性 | BAS21E6327 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GP 200V 250MA SOT23-3 |
功能描述 | Silicon Switching Diode |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
453.07 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-23 23:01:00 |
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BAS21E6327规格书详情
BAS21E6327属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的BAS21E6327二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
Silicon Switching Diodes
• High-speed, high-voltage switching applications
产品属性
更多- 产品编号:
BAS21E6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
250mA
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
5pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
PG-SOT23
- 工作温度 - 结:
150°C(最大)
- 描述:
DIODE GP 200V 250MA SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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