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BAS21中文资料High-voltage switching diode数据手册Nexperia规格书

厂商型号	BAS21
参数属性	BAS21 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
功能描述	High-voltage switching diode
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved
中文名称	安世安世半导体(中国)有限公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-10-4 20:00:00
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BAS21规格书详情

描述 Description

High-voltage switching diode encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

特性 Features

• High switching speed: trr≤50ns
• Low leakage current
• Reverse voltage VR≤200V
• Low capacitance: Cd≤5pF
• Small SMD plastic package
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• High-speed switching at high voltage
• High-voltage general-purpose switching
• Voltage clamping
• Reverse polarity protection

技术参数

产品编号：
BAS21
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23

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