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BAS20-G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BAS20-G

参数属性

BAS20-G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23

功能描述

Small Signal Switching Diodes, High Voltage

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

96.34 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

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更新时间

2025-10-8 10:14:00

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BAS20-G规格书详情

FEATURES

• Silicon epitaxial planar diode

• Fast switching diode in case SOT-23, especially

suited for automatic insertion

• General purpose switching applications

• High conductance

• AEC-Q101 qualified available

(part number on request)

• Base P/N-G3 - green, commercial grade

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

产品属性

  • 产品编号:

    BAS20-G3-18

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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