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BAS19中文资料High-voltage switching diode数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

BAS19

参数属性

BAS19 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

功能描述

High-voltage switching diode

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 17:55:00

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BAS19规格书详情

描述 Description

High-voltage switching diode encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

特性 Features

• High switching speed: trr≤50ns
• Low leakage current
• Reverse voltage VR≤100 V
• Low capacitance: Cd≤5 pF
• Small SMD plastic package
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• High-speed switching at high voltage
• High-voltage general-purpose switching
• Voltage clamping
• Reverse polarity protection

技术参数

  • 产品编号:

    BAS19

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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