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BAS16VA中文资料SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAS16VA

参数属性

BAS16VA 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:FAST SWITCHING DIODE SOT563 T\u0026R

功能描述

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY
FAST SWITCHING DIODE SOT563 T\u0026R

封装外壳

SOT-563,SOT-666

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 23:54:00

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BAS16VA规格书详情

特性 Features

•Fast Switching Speed
•Low Forward Voltage: Maximum of 0.715V at 1mA
•Fast Reverse Recovery: Maximum of 4ns
•Low Capacitance: Maximum of 1.5pF
•Low Leakage Current 
•Ultra-Small Surface Mount Package 
•Thermally Efficient Copper Alloy Leadframe for High Power Dissipation
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device

简介

BAS16VA属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BAS16VA二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAS16VA

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Triple

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :350 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :100 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :4 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :200 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0.715 mA

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.5 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :0.5 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :100

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :1.5 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :0.715

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :0.5

  • Packages

    :SOT563

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