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BAS16DXV6T1G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BAS16DXV6T1G |
参数属性 | BAS16DXV6T1G 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 |
功能描述 | Dual Switching Diode |
封装外壳 | SOT-563,SOT-666 |
文件大小 |
67.26 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 18:00:00 |
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BAS16DXV6T1G规格书详情
BAS16DXV6T1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由安森美半导体制造生产的BAS16DXV6T1G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
特性 Features
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and
PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
产品属性
更多- 产品编号:
BAS16DXV6T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置:
2 个独立式
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
200mA(DC)
- 速度:
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:
SOT-563
- 描述:
DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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SOT563 |
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ON/安森美 |
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SOT-563 |
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