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BAP65LX分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

BAP65LX
厂商型号

BAP65LX

参数属性

BAP65LX 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2

功能描述

RF Manual 16th edition

封装外壳

SOD-882

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-5 13:28:00

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BAP65LX规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 产品编号:

    BAP65LX,315

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    PIN - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.37pF @ 20V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    350 毫欧 @ 100mA,100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    SOD-882

  • 供应商器件封装:

    SOD2

  • 描述:

    RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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