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BA779数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

BA779

参数属性

BA779 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 30V SOT23-3

功能描述

Current-controlled RF resistor for switching and attenuating applications

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:29:00

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技术参数

  • 产品编号:

    BA779-2-HG3-18

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    PIN - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.5pF @ 0V,100MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    50 欧姆 @ 1.5mA,100MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF DIODE PIN 30V SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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