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BT111	文件：1.53422 Mbytes Page：54 Pages	BluetoothSmartReadyHCIModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BT111	文件：2.68373 Mbytes Page：53 Pages	Bluetooth®SmartReadyHCIModule KEYFEATURES •Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant •SupportBluetoothclassic •SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode •Radiocapabilities •Transmitpower:+8dBm •Receiversensitivity:-89dBm •Line-of-sightrange:100+meters •Integratedantenna •Interfaces •HCIov	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
BT111-A-HCI	文件：2.68373 Mbytes Page：53 Pages	Bluetooth®SmartReadyHCIModule KEYFEATURES •Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant •SupportBluetoothclassic •SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode •Radiocapabilities •Transmitpower:+8dBm •Receiversensitivity:-89dBm •Line-of-sightrange:100+meters •Integratedantenna •Interfaces •HCIov	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
BU111	文件：70.08 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU111	文件：125.84 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BUZ111	文件：120.03 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •LogicLevel •dv/dtrated •175˚Coperatingtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ111	文件：121.79 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ111S	文件：121.79 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ111S	文件：110.92 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175˚Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ111S	文件：332.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.008Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
BA111T
制造商：
IDEC
类别：
连接器，互连器件 > 隔板块
系列：
BA
包装：
散装
端子块类型：
隔板接线座
间距：
0.311"（7.90mm）
排数：
3
额定电流（安培）：
15A
额定电压：
300V
线规：
14-22 AWG
顶部端接：
螺钉
底部端接：
闭合式
隔板类型：
双壁（双）
颜色：
黑色
描述：
BA SERIES TERMINAL BLOCK

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