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B41694A5477Q7

RF Power LDMOS Transistors

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs These 50 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2110 to 2170 MHz.  Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1500 mA, Pout = 50 W Avg., Input Signal PA

文件:543.07 Kbytes 页数:17 Pages

恩XP

恩XP

B41694A5477Q7

RF Power LDMOS Transistors

文件:437.43 Kbytes 页数:15 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

B41694A5477Q7

RF Power LDMOS Transistors

恩XP

恩XP

B41694A5477Q7

Package:轴向,CAN;包装:散装 类别:电容器 铝电解电容器 描述:CAP ALUM 470UF 25V AXIAL

EPCOS - TDK Electronics

EPCOS - TDK Electronics

产品属性

  • 产品编号:

    B41694A5477Q7

  • 制造商:

    EPCOS - TDK Electronics

  • 类别:

    电容器 > 铝电解电容器

  • 系列:

    B41694

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    -10%,+30%

  • ESR(等效串联电阻):

    160 毫欧 @ 100Hz

  • 不同温度时使用寿命:

    125°C 时为 3000 小时

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 极化:

    极化

  • 应用:

    汽车级

  • 大小 / 尺寸:

    0.551" 直径 x 0.984" 长(14.00mm x 25.00mm)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向,CAN

  • 描述:

    CAP ALUM 470UF 25V AXIAL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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