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B305D	文件：86.79 Kbytes Page：1 Pages	Elektronické součástky z dovozu	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
B305N	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B305N	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B305P	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B305P	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BA305	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BB305C	文件：66.68 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Superiorcrossmodulationcharacteristics. •Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbin	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB305C	文件：213.52 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Superiorcrossmodulationcharacteristics. •Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB305CEW-TL-E	文件：213.52 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Superiorcrossmodulationcharacteristics. •Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB305M	文件：212.42 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Superiorcrossmodulationcharacteristics. •Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbing	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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