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B200NF03	文件：449.62 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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P200NF03	文件：1.027369 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB200NF03	文件：557.03 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0032ohm-120AD짼PAK/I짼PAK/TO-220STripFET??IIPOWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STW200NF03	文件：351.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW200NF03	文件：292.98 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL30V-0.002ohm-120ATO-247ULTRALOWON-RESISTANCESTripFET??IIMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisparticularlysuitableinOR-ingfunctioncircuitsandsynchronousrectification. ■TYPICALRDS(on)=0.002Ω ■100AV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
B200NF03
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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