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B1D04065E中文资料基本半导体数据手册PDF规格书

B1D04065E
厂商型号

B1D04065E

功能描述

SiC Schottky Diode

丝印标识

B1D04065E

封装外壳

TO-252-2

文件大小

1.41598 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR
企业简称

BASICSEMI基本半导体

中文名称

深圳基本半导体有限公司官网

原厂标识
BASICSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:08:00

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B1D04065E规格书详情

特性 Features

Extremely low reverse current

No reverse recovery current

Temperature independent switching

Positive temperature coefficient on V

Excellent surge current capability

Low capacitive charge

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BASIC
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