| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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SIEMENS/西门子TO220 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO 3P |
160310 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
18500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
25630 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市欧亚佳电子有限公司6年
留言
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INFINEONTO-220 |
11520 |
20+ |
特价全新原装公司现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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InfineonTO-220 |
3265 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INF |
17 |
D/CCALL |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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SIEMENS |
50 |
9705 |
原装正品现货供应 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINE0NTO-220-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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SIEMENS/西门子TO220 |
15000 |
21+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SIEMENS/西门子TO220 |
1574 |
21+ |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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ST/意法TO220 |
10000 |
2122+ |
全新原装进口,价格美丽 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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HARRSTO-220 |
221 |
23+ |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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SIEMENSQFP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
BUZ32采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BUZ32图片
BUZ32H价格
BUZ32H价格：￥4.7443品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BUZ32H多少钱，想知道BUZ32H价格是多少？参考价：￥4.7443。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUZ32H批发价格及采购报价，BUZ32H销售排行榜及行情走势，BUZ32H报价。
BUZ32中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ32功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 E3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ32 H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 H3045A功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 L3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ323制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BUZ325制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor
BUZ326制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor(N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ32CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | CHIP
BUZ32E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
