| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
3638 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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INFINEON62MM |
1000 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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InfineonMODULE |
1020 |
17+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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Infineon |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
16867 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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EUPECMODULE |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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Infineon/英飞凌 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINIONMODULE |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MODULE |
68900 |
INFINION |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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EUPEC100A/1700V/I |
50 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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BSM100GB170DLC价格
BSM100GB170DLC价格：￥841.0089品牌：INFINEON AEMC REGION ASI
生产厂家品牌为INFINEON AEMC REGION ASI的BSM100GB170DLC多少钱，想知道BSM100GB170DLC价格是多少？参考价：￥841.0089。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSM100GB170DLC批发价格及采购报价，BSM100GB170DLC销售排行榜及行情走势，BSM100GB170DLC报价。
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更多BSM100GB170DL功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB170DLC功能描述:IGBT 模块 1700V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
