选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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CDLTO-220 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
155658 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILDTO-220-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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STMTO-220 |
1000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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STTO220 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
100 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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STTO220 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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STMTO220 |
2000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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TI/德州仪器NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
8370 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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NXPTO126 |
8000 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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TEXASINSTRUMENTSNA |
1107 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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nxp/NXP Semiconductors/恩智浦/TO126 |
8000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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NXPTO126 |
8000 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-220 |
10000 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦TO126 |
5000 |
23+ |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
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harris原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
BD239采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD239图片
BD239C价格
BD239C价格:¥0.8805品牌:STMICROELECTRONICS
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BD239A功能描述:两极晶体管 - BJT 30W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD239A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD239ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD239B功能描述:两极晶体管 - BJT 30W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD239B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD239BTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BD239C功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD239C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
45V
- 最大电流允许值:
2A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD241,BD243,BD575,3DD62C,
- 最大耗散功率:
30W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
45
- htest:
999900
- atest:
2
- wtest:
30