AZ23B51-G分立半导体产品的二极管-齐纳-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AZ23B51-G |
| 参数属性 | AZ23B51-G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-阵列；产品描述：DIODE ZENER 51V 300MW SOT23 |
| 功能描述 | Small Signal Zener Diodes, Dual |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
122.32 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-11 15:16:00 |
| 人工找货 | AZ23B51-G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AZ23B51-G规格书详情
FEATURES
• These diodes are also available in other case
styles and configurations including: the dual
diode common cathode configuration with type
designation DZ23, the single diode SOT-23
case with the type designation BZX84C, and the
single diode SOD-123 case with the type
designation BZT52C
• Dual silicon planar Zener diodes, common anode
• The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard
• The parameters are valid for both diodes in one case. ΔVZ and Δrzj of the two diodes in one case is ≤ 5
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
产品属性
- 产品编号：
AZ23B51-G3-18
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列
- 系列：
AZ23-G
- 包装：
卷带（TR）
- 配置：
1 对共阳极
- 容差：
±2%
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
DIODE ZENER 51V 300MW SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Vishay |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
195000 |
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YANGJIE |
24+ |
SOT-23 |
50000 |
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
89000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
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VISHAY |
1809+ |
SOT-23 |
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