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AZT310HVI	文件：138.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTPHASECONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BFG310	文件：73.69 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W/XR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310WSLASHXR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310XR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310XR	文件：73.69 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFU310	文件：134.03 Kbytes Page：2 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BGA310	文件：20.55 Kbytes Page：4 Pages	SiliconBipolarMMIC-Amplifier(Cascadable50W-gainblock9dBtypicalgainat1.0GHz9dBmtypicalP-1dBat1.0GHz3dB-bandwidth:DCto2.4GHz) SiliconBipolarMMIC-Amplifier Preliminarydata •Cascadable50Ω-gainblock •9dBtypicalgainat1.0GHz •9dBmtypicalP-1dBat1.0GHz •3dB-bandwidth:DCto2.4GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BPS310	文件：587.54 Kbytes Page：5 Pages	BPS310Series-12mmUncompensatedLowPressureSensor	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

详细参数

型号：
AVN310N-R
制造商：
IDEC CORPORATION
功能描述：
E-Stop 30mm N Series

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京光敏源科技有限公司	AVN311NR	其他	2022+		1000	只做原装，可提供样品	询价
上海金庆电子技术有限公司	AVN3B-R		新		22	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	AVN3B-R		2022+		18	全新原装货期两周	询价
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更多AVN310N-R供应商更新时间2025-6-9 10:08:00

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