| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
6851 |
2311+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
21316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
17048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONSOP-8 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
18990 |
2122+ |
原装正品,假一赔十,价格优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP8 |
2500 |
21+ |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
8000 |
23+ |
英飞凌一级代理商,仓库原装现货,欢迎来询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP8 |
2500 |
1807+ |
原装正品假一赔万向鸿伟业现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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Infineon2-3周 |
10000 |
22+ |
公司渠道现货 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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13000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
12500 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
12500 |
21+ |
全新原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon Technologies8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
26448 |
23+ |
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英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Infineon Technologies8-SOIC |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesSOP8 |
2520 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
AUIRS2181STR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
AUIRS2181STR图片
AUIRS2181STR资讯
AUIRS2181STR
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel?得捷定制卷带 零件状态 在售 驱动配置 半桥 通道类型 独立式 驱动器数 2 栅极类型 IGBT，N沟道MOSFET 电压-供电 10V~20V 逻辑电压-VIL，VIH 0.8V，2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出） 1.9A，2.3A 输入类型 反相 高压侧电压-最大值（自举） 600
AUIRS2181STR中文资料Alldatasheet PDF
更多AUIRS2181STR功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
AUIRS2181STR
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
