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AUIRS21811S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRF

AUIRS21811S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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AUIRS21811S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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INFINEON

英飞凌

AUIRS21811S_15

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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AUIRS21811STR

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRF

AUIRS21811S

汽车认证高边和低边驱动器,软接通,非反相输入,单独高压低和低边输入,8 引脚 SOIC 封装

\n优势:\n• 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 +600 V\n• 容许负瞬态电压,不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围:10V 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V 和 5V 输入逻辑兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 典型输出拉/灌电流能力为 1.9A/2.3A\n• 无铅,符合 RoHS\n• 通过汽车认证;

Infineon

英飞凌

AUIRS21811S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

AUIRS21811STR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    AUIRS21811S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.9A,2.3A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    60ns,35ns(最大)

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多AUIRS21811S供应商 更新时间2026-2-2 14:23:00