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AUIRS2123

Floating channel designed for bootstrap operation

文件:563.49 Kbytes 页数:20 Pages

IRF

AUIRS2123

High voltage and high speed power MOSFET and IGBT drivers for Automotive applications. Output in phase with input.

\n优势:\n• 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 +600 V\n• 容许负瞬态电压,不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围:10V 至 20V\n• 欠压锁定\n• 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入\n• 输出与输入 (AUIRS2123) 同相或与输入 (AUIRS2124 ) 不同相\n• 无铅,符合 RoHS\n• 通过汽车认证;

Infineon

英飞凌

AUIRS2123_15

Floating channel designed for bootstrap operation

文件:563.49 Kbytes 页数:20 Pages

IRF

AUIRS2123S

High Voltage ICs HIGH SIDE DRIVER IC

文件:589.1 Kbytes 页数:19 Pages

INFINEON

英飞凌

AUIRS2123S

Automotive Grade

文件:324.99 Kbytes 页数:18 Pages

IRF

AUIRS2123S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

AUIRS2123STR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    AUIRS2123

  • 功能描述:

    功率驱动器IC High Side Driver IC 600V 500mA 140ns

  • RoHS:

  • 制造商:

    Micrel

  • 产品:

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型:

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大:

    30 V

  • 电源电压-最小:

    2.75 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-8

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINE0N
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SOIC 8N
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更多AUIRS2123供应商 更新时间2026-1-27 9:43:00