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AUIRS2112S	文件：428.51 Kbytes Page：23 Pages	Drives IGBT/MOSFET power devices 文件：428.51 Kbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
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AUIRS2112S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Drives IGBT/MOSFET power devices	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRS2112S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
AUIRS2112S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
3V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
60ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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