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BR3504	文件：90.54 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR3504	文件：951.87 Kbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#£230084 Universal3-wayterminals:snap-on,wire wrap-around,orPCBmounting Highsurgecurrentcapability Lowthermalresistance Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BR3504-G	文件：84.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers ReverseVoltage:50to1000V ForwardCurrent:10/15/25/35/50A RoHSDevice Features -Surgeoverload-240~500Amperespeak. -Lowforwardvoltagedrop. -Electricallyisolatedbase-2000Volts. -MaterialsusedcarriesU/Lrecognition. -Solderable0.25FASTONterminals.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BR3504L	文件：604.65 Kbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#£230084 Universal3-wayterminals:snap-on,wire wrap-around,orPCBmounting Highsurgecurrentcapability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BR3504M	文件：58.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:35Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR3504M	文件：159.16 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BR3504W	文件：19 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:35Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highcasedielectricstrength *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR3504W	文件：77.12 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS SILICONBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000V CURRENT:35.0A FEATURES Ratingto1000VPRV Surgeoverloadratingto400Amperespeak Idealforprintedcircuitboard Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct L	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BR3504W	文件：49.3 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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详细参数

型号：
AUIRFR3504ZTRR
功能描述：
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多AUIRFR3504ZTRR供应商更新时间2025-7-25 16:13:00

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