ATP212数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
ATP212 |
| 参数属性 | ATP212 封装/外壳为ATPAK（2 引线 + 接片）；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFET, 60V, 35A, 23mΩ |
| 封装外壳 | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 9:20:00 |
| 人工找货 | ATP212价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ATP212规格书详情
描述 Description
ATP212 is N-Channel Power MOSFET, 60V, 35A, 23mΩ, Single ATPAK for general purpose switching applications.
特性 Features
• Low ON resistance
• 4V drive
• Large current
• Slim package
• Protection diode in
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
简介
ATP212属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的ATP212晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：ATP212
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.6
- ID Max (A)
：35
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：34.5
- Ciss Typ (pF)
：1820
- Package Type
：DPAK (Single Gauge)/ATPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+/25+ |
3000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
onsemi |
2025+ |
ATPAK |
55740 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
25000 |
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ONSEMI/安森美 |
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TO252 |
65200 |
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24+ |
TO-252 |
60000 |
询价 | |||
SANYO |
24+ |
SOT-252 |
20000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
TO-252 |
21+ |
50000 |
原装正品现货 支持BOM配单! |
询价 |
