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ATP113数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

ATP113

功能描述

P 沟道,功率 MOSFET,-60V,-35A,29.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 14:40:00

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ATP113规格书详情

描述 Description

ATP113 is P-Channel Power MOSFET, -60V, -35A, 29.5mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application.

特性 Features

• ON-resistance RDS(on)1 = 22.5mΩ (typ)
• 4V drive
• Input Capacitance Ciss=2400pF(typ)
• Protection diode in

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

技术参数

  • 制造商编号

    :ATP113

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :-2.6

  • ID Max (A)

    :-35

  • PD Max (W)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :38

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :29.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :55

  • Ciss Typ (pF)

    :2400

  • Package Type

    :DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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