ATP113中文资料P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-35A，29.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
ATP113规格书详情
描述 Description
ATP113 is P-Channel Power MOSFET, -60V, -35A, 29.5mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application.
特性 Features
• ON-resistance RDS(on)1 = 22.5mΩ (typ)
• 4V drive
• Input Capacitance Ciss=2400pF(typ)
• Protection diode in
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：ATP113
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-2.6
- ID Max (A)
：-35
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：38
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：29.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：55
- Ciss Typ (pF)
：2400
- Package Type
：DPAK (Single Gauge)/ATPAK
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