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ATF-511P8-TR1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ATF-511P8-TR1 |
| 参数属性 | ATF-511P8-TR1 封装/外壳为8-WFDFN 裸露焊盘；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC |
| 功能描述 | High Linearity Enhancement Mode |
| 封装外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
140.33 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | HP |
| 中文名称 | 安捷伦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 22:59:00 |
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ATF-511P8-TR1规格书详情
描述 Description
Agilent Technologies’s ATF-511P8 is a single-voltage high linearity, low noise E-pHEMT housed in an 8-lead JEDEC-standard leadless plastic chip carrier (LPCC[3]) package. The device is ideal as a high linearity, low-noise, medium-power amplifier. Its operating frequency range is from 50 MHz to 6 GHz.
特性 Features
• Single voltage operation
• High linearity and P1dB
• Low noise figure
• Excellent uniformity in product specifications
• Small package size: 2.0 x 2.0 x 0.75 mm
• Point MTTF > 300 years [2]
• MSL-1 and lead-free
• Tape-and-reel packaging option available
Specifications
2 GHz; 4.5V, 200 mA (Typ.)
• 41.7 dBm output IP3
• 30 dBm output power at 1 dB gain compression
• 1.4 dB noise figure
• 14.8 dB gain
• 12.1 dB LFOM [4]
• 69 PAE
Applications
• Front-end LNA Q2 and Q3 driver or pre-driver amplifier for Cellular/ PCS and WCDMA wireless infrastructure
• Driver amplifier for WLAN, WLL/RLL and MMDS applications
• General purpose discrete E-pHEMT for other high linearity applications
产品属性
- 产品编号：
ATF-511P8-TR1
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
E-pHEMT
- 频率：
2GHz
- 增益：
14.8dB
- 额定电流（安培）：
1A
- 噪声系数：
1.4dB
- 功率 - 输出：
30dBm
- 封装/外壳：
8-WFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-LPCC（2x2）
- 描述：
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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