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ATF-36077-STR	文件：47.07 Kbytes Page：4 Pages	2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT Description Hewlett-Packard’sATF-36077isanultra-low-noisePseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),packagedinalowparasitic,surface-mountableceramicpackage.Properlymatched,thistransistorwillprovidetypical12GHznoisefiguresof0.5dB,ortypical4GHznoisef	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
ATF-36077-STR	文件：125.18 Kbytes Page：4 Pages	2??8 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
ATF-36077-STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD（77 封装）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 3V 12GHZ 77-SMD	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited
ATF36077	文件：47.07 Kbytes Page：4 Pages	2-18GHzUltraLowNoisePseudomorphicHEMT Description Hewlett-Packard’sATF-36077isanultra-low-noisePseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),packagedinalowparasitic,surface-mountableceramicpackage.Properlymatched,thistransistorwillprovidetypical12GHznoisefiguresof0.5dB,ortypical4GHznoisef	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
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ATF-36077	文件：47.07 Kbytes Page：4 Pages	2-18GHzUltraLowNoisePseudomorphicHEMT Description Hewlett-Packard’sATF-36077isanultra-low-noisePseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),packagedinalowparasitic,surface-mountableceramicpackage.Properlymatched,thistransistorwillprovidetypical12GHznoisefiguresof0.5dB,ortypical4GHznoisef	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
ATF-36077-TRl	文件：125.18 Kbytes Page：4 Pages	2??8GHzUltraLowNoisePseudomorphicHEMT	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
ATF-36077-TRL	文件：47.07 Kbytes Page：4 Pages	2-18GHzUltraLowNoisePseudomorphicHEMT Description Hewlett-Packard’sATF-36077isanultra-low-noisePseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),packagedinalowparasitic,surface-mountableceramicpackage.Properlymatched,thistransistorwillprovidetypical12GHznoisefiguresof0.5dB,ortypical4GHznoisef	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP

产品属性

产品编号：
ATF-36077-STR
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
pHEMT FET
频率：
12GHz
增益：
12dB
额定电流（安培）：
45mA
噪声系数：
0.5dB
功率 - 输出：
5dBm
封装/外壳：
4-SMD（77 封装）
供应商器件封装：
77
描述：
FET RF 3V 12GHZ 77-SMD

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