选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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Broadcom/Avago |
21500 |
23+ |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
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AVAGON/A |
90000 |
24+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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BroadcomNA |
80 |
22+ |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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BROADCOMSOT-343 |
1675 |
20+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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BROADCOM-博通SOT-343 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Broadcom LimitedSC-82A,SOT-343 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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BROADCOMSOT-343 |
1675 |
1809+ |
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ATF-33143-TR2G采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ATF-33143-TR2G图片
ATF-33143-TR2G中文资料Alldatasheet PDF
更多ATF-33143-TR2G功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
产品属性
- 产品编号:
ATF-33143-TR2G
- 制造商:
Broadcom Limited
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
pHEMT FET
- 频率:
2GHz
- 增益:
15dB
- 额定电流(安培):
305mA
- 噪声系数:
0.5dB
- 功率 - 输出:
22dBm
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
SOT-343
- 描述:
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343