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AWU6602

HELP3TMBand2/WCDMA3.4V/29dBmLinearPAModule

ANADIGICS

ANADIGICS, Inc

BCL6602DW

Plastic-EncapsulateMOSFETS

GENERALDESCRIPTION DS(on) TheBCL6602DWusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRandlowgatecharge. ThecomplementaryMOSFETSformahigh-speedpowerinverterandsuitableforamultitudeofapplications.

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

CJL6602

P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

CPH6602

CPH6602

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

DMG6602SVT

COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DMG6602SVT

N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

DMG6602SVTQ

COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

EFC6602R

N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9m廓,DualEFCP

N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features •2.5Vdrive •Common-draintype •2KVESDHBM •Protectiondiodein •Halogenfreecompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

EFC6602R

Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch

N-ChannelSiliconMOSFETLithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features •2.5Vdrive •Common-draintype •2KVESDHBM •Protectiondiodein •Halogenfreecompliance

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

EFC6602R

PowerMOSFET

N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features •2.5Vdrive •Common-draintype •2KVESDHBM •Protectiondiodein •Halogenfreecompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    ATA6602P-PLQW

  • 功能描述:

    8位微控制器 -MCU 8kB flash

  • RoHS:

  • 制造商:

    Silicon Labs

  • 核心:

    8051

  • 处理器系列:

    C8051F39x

  • 数据总线宽度:

    8 bit

  • 最大时钟频率:

    50 MHz

  • 程序存储器大小:

    16 KB 数据 RAM

  • 大小:

    1 KB 片上

  • ADC:

    Yes

  • 工作电源电压:

    1.8 V to 3.6 V

  • 工作温度范围:

    - 40 C to + 105 C

  • 封装/箱体:

    QFN-20

  • 安装风格:

    SMD/SMT

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更多ATA6602P-PLQW供应商 更新时间2025-7-15 15:01:00