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AT28HC64B-12PI	文件：661.45 Kbytes Page：12 Pages	64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection Description The AT28HC64B is a high-performance electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 55 ns with power dissipation 文件：661.45 Kbytes 页数：12 Pages	Atmel 爱特梅尔	Atmel
AT28HC64B-12PI	文件：341.52 Kbytes Page：18 Pages	64K (8K x 8) High Speed Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection 文件：341.52 Kbytes 页数：18 Pages	Atmel 爱特梅尔	Atmel
AT28HC64B-12PI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP	Microchip 微芯科技	Microchip
AT28HC64B-12SC	文件：661.45 Kbytes Page：12 Pages	64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection Description The AT28HC64B is a high-performance electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 55 ns with power dissipation 文件：661.45 Kbytes 页数：12 Pages	Atmel 爱特梅尔	Atmel
AT28HC64B-12SI	文件：661.45 Kbytes Page：12 Pages	64K 8K x 8 High Speed CMOS E2PROM with Page Write and Software Data Protection Description The AT28HC64B is a high-performance electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 55 ns with power dissipation 文件：661.45 Kbytes 页数：12 Pages	Atmel 爱特梅尔	Atmel
AT28HC64B-12SI	文件：341.52 Kbytes Page：18 Pages	64K (8K x 8) High Speed Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection 文件：341.52 Kbytes 页数：18 Pages	Atmel 爱特梅尔	Atmel

产品属性

产品编号：
AT28HC64B-12PI
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
EEPROM
技术：
EEPROM
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ms
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TC）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-PDIP
描述：
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP

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