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AT26F004-MU数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

AT26F004-MU

参数属性

AT26F004-MU 封装/外壳为8-VDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4MBIT SPI 33MHZ 8VDFN

功能描述

IC FLASH 4M SPI 33MHZ 8SOIC
IC FLASH 4MBIT SPI 33MHZ 8VDFN

封装外壳

8-VDFN 裸露焊盘

制造商

Adesto adesto Technologies

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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AT26F004-MU规格书详情

简介

AT26F004-MU属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的AT26F004-MU存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :AT26F004-MU

  • 生产厂家

    :Adesto

  • 存储器格式

    :闪存

  • 技术

    :闪存

  • 存储容量

    :4Mb (256 字节 x 2048 页)

  • 时钟频率

    :33MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :5ms

  • 存储器接口

    :SPI

  • 电压 - 电源

    :2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装

    :8-VDFN(6x5)

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