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AT12017-21

SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

DESCRIPTION: TheAT12017-21isDesignedforHighPerformanceRFandMicrowaveApplicationsRequiringanAbruptVariableCapacitanceCharacteristic. FEATURESINCLUDE: •HighTuningRatio,∆CT=9.5MIN. •HighQualityFactor,Q=300MIN. •HermeticPackage,CP=.20pF

ASI

Advanced Semiconductor

详细参数

  • 型号:

    AT12017-21

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全称:

    ASI

  • 功能描述:

    SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

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ASI
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SOT-153
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SOT-153
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更多AT12017-21供应商 更新时间2025-6-15 15:01:00