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AT12015-21

SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

DESCRIPTION: The AT12015-21 is Designed for High Performance RF and Microwave Applications Requiring an Abrupt Variable Capacitance Characteristic. FEATURES INCLUDE: • High Tuning Ratio, ∆CT = 8.5 MIN. • High Quality Factor, Q = 300 MIN. • Hermetic Pkg, CP = .20 pF

文件:24.82 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

AT12015-21

SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

ASI Semiconductor

ASI Semiconductor

AT1399AN

AIMTRON
QFN-56

AT17C128-10PC

ATMEL/爱特梅尔
DIP8

ATMEL/爱特梅尔

上传:深圳市吉铭电子科技有限公司

ATMEL/爱特梅尔

AT17F040-30CU

MICROCHIP
LAP 8CN4 8

Microchip

微芯科技

上传:深圳市维众兴电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    AT12015-21

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全称:

    ASI

  • 功能描述:

    SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

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更多AT12015-21供应商 更新时间2025-10-14 8:01:00