AT-42000中文资料Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Chip数据手册Broadcom规格书
| 厂商型号 |
AT-42000 |
| 参数属性 | AT-42000 封装/外壳为模具；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP |
| 功能描述 | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Chip |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | Broadcom Broadcom Corporation. |
| 中文名称 | 博通 博通半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 18:49:00 |
| 人工找货 | AT-42000价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AT-42000规格书详情
简介
AT-42000属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的AT-42000晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
AT-42000-GP4
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
- 增益：
10.5dB ~ 14dB
- 功率 - 最大值：
600mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 35mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
芯片
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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