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AT-41532-TR1	文件：146.83 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR Description Agilent’sAT-41532isageneralpurposeNPNbipolartransistorthathasbeenoptimizedformaximumftatlowvoltageoperation,makingitidealforuseinbatterypoweredapplicationsincellular/PCSandotherwirelessmarkets.TheAT-41532usestheminiature3-leadSOT-323(SC-70)pl	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
AT-41532-TR1	文件：1.36896 Mbytes Page：14 Pages	General Purpose, Low Current NPN Silicon Bipolar Transistor Description Avago’sAT-41532isageneralpurposeNPNbipolartransistorthathasbeenoptimizedformaximumftatlowvoltageoperation,makingitidealforuseinbatterypoweredapplicationsincellular/PCSandotherwirelessmarkets.TheAT-41532usestheminiature3-leadSOT-323(SC-70)plas	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AT-41532-TR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V SC70-3	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited
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AT-41532-TR1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V SC70-3	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited

产品属性

产品编号：
AT-41532-TR1
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
增益：
9dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3
描述：
RF TRANS NPN 12V SC70-3

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