选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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AGILENTSOT-143 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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AGILENTSOT-143 |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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AVAGOSOT-143 |
1200 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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AGILENTSOT-143 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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AGILENTSOT-143 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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AVAGON/A |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
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AGILENTSOT-143 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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HPSOT-143 |
3804 |
2008 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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AGILENTSOT143 |
8200 |
22+ |
全新原装现货!自家库存! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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HPSOT-143 |
10000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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HPSOT-143 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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AGILENTDIP16 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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AVAGOSOT23 |
1500 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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惠普SOT-143 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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AGILENTSOT-143 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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HPSOT-143 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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HPSOT-143 |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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AVAGOSOT-143 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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AVA |
540 |
23+ |
原装现货,欢迎咨询 |
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AT-31011图片
AT-31011-TR1G价格
AT-31011-TR1G价格:¥1.7056品牌:AVA
生产厂家品牌为AVA的AT-31011-TR1G多少钱,想知道AT-31011-TR1G价格是多少?参考价:¥1.7056。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,AT-31011-TR1G批发价格及采购报价,AT-31011-TR1G销售排行榜及行情走势,AT-31011-TR1G报价。
AT-31011-TR1G中文资料Alldatasheet PDF
更多AT-31011制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-31011-BLK制造商:HEWLETT
AT-31011-BLKG功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-31011-TR1制造商:HEWLETT
AT-31011-TR1G功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-31011-TR2G功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel