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ASU65R850E中文资料顺烨电子数据手册PDF规格书

ASU65R850E
厂商型号

ASU65R850E

功能描述

MOSFET Silicon N-Channel MOS

丝印标识

ASU65R850E

封装外壳

TO251

文件大小

2.30014 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 Changzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.
企业简称

SY顺烨电子

中文名称

江苏顺烨电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 18:20:00

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ASU65R850E规格书详情

Applications

Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward topologies.

PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting.

特性 Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.750Ω (typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mo de: Vth = 2.8 to 4.2 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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