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CEP740A	文件：502.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CEP740A	文件：640.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEP740G	文件：795.11 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP740N	文件：400.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU740A	文件：421.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU740A	文件：641.89 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 400V,9A,RDS(ON)=0.55W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CM740	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CS740	文件：350.51 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET Features： -FastSwitching -LowONResistance(Rdson≤0.50Ω) -LowGateCharge(TypicalData:28nC) -LowReversetransfercapacitances(Typical:21pF) -100SinglePulseavalancheenergyTest	HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS 华润微电子华润微电子有限公司	HUAJING-MICRO

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详细参数

型号：
ASRD740T
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
GLASS PACKAGE STEP RECOVERY DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ASRD740T供应商更新时间2025-5-15 17:59:00

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