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BIBD202FX	文件：265.69 Kbytes Page：2 Pages	UNITAP,doubleSidedEntry,InsulatedMultitap,#10-250ClassB&C,#10-3/0ClassG,H,I,K,DLO,Aluminum.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBD202RK	文件：265.96 Kbytes Page：2 Pages	ClearInsulatedMultipleTapConnector,CopperConductorStranded-SizeRange:14AWG-2/0AWG,1.52INL.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BL-BEG202	文件：192.13 Kbytes Page：2 Pages	Chipmaterial:GaAsP/GaP	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BLF202	文件：76.98 Kbytes Page：16 Pages	HF/VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinan8-leadSOT409ASMDpackagewithaceramiccap. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Goldmetallization •Goodthermalstability •Withstandsfullloadmismatch. APPLICATIONS •Communicationstransm	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF202	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BL-REG202N	文件：295.89 Kbytes Page：5 Pages	LEDLAMPS	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BM202	文件：285.26 Kbytes Page：1 Pages	GENERALSPECIFICATIONS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BMI-S-202-F	文件：79.58 Kbytes Page：2 Pages	ItemBMIS-202StandardSurfaceMountShields-Two-Piece	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BMIS-202-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BR202	文件：622.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
BR202	文件：616.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
BSH202	文件：138.93 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH202	文件：229.59 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingitide	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSL202SN	文件：248.48 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSR202N	文件：156.56 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •FootprintcompatibletoSOT23 •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSR202N	文件：243.46 Kbytes Page：3 Pages	Enhancementmode Features •N-channel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •FootprintcompatibletoSOT23 •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSR202N	文件：188.18 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •FootprintcompatibletoSOT23 •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BT202	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BTA202X	文件：80.87 Kbytes Page：12 Pages	2AThree-quadranttriacshighcommutation Generaldescription PassivatedhighcommutationtriacsinaSOT186A‘fullpack’plasticpackage.Thesetriacsbalancetherequirementsofcommutationperformanceandgatesensitivity.The‘sensitive’gateEseriesand‘logiclevel’Dseriesareintendedforinterfacingwithlow-powerdrivers,i	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BU202ADL	文件：116.76 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司	JINGDAO

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详细参数

型号：
ASMA202
功能描述：
射频双极电源晶体管 50 Ohm
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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