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ASG101	文件：188.03 Kbytes Page：6 Pages	DC-3000 MHz SiGe HBT Amplifier [ASB] Description TheASG101isdesignedforhighlinearity,highgain,andlownoiseoverawiderangeoffrequency,beingsuitableforuseinbothreceiverandtransmitterofwirelessandwirelinetelecommunicationsystems.Theproductismanufacturedusingastate-of-the-artSiGeHBTprocess	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ASW101	文件：412.81 Kbytes Page：6 Pages	5-3000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASW101	文件：891.66 Kbytes Page：8 Pages	MMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASX101	文件：1.31379 Mbytes Page：16 Pages	5~4000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AT-101	文件：64.94 Kbytes Page：3 Pages	FixedAttenuators(SMAType) ■Features 1.AbundantVariationsofAttenuators Attenuationamountsareavailableinabundantvariationsfrom0to4dBin0.5dBsteps,from4to10dBin1dBsteps,andin12,13,15,20,26and30dBsothatlevelscanbefinelyadjusted. 2.SMAType Thecouplingportionsareavaila	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
ATAVRDB101	文件：26.98 Kbytes Page：2 Pages	ProductEnd-of-Life(EOL)Notification	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATP101	文件：261.579 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications P-ChannelSiliconMOSFET General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP101	文件：343.51 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP101-TL-H	文件：449.23 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP101-TL-H	文件：343.51 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
ASG101
功能描述：
DC-3000 MHz SiGe HBT Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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