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ASDM30N120KQ-R数据手册ASDsemi中文资料规格书

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厂商型号

ASDM30N120KQ-R

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

ASDsemi Shenzhen AsDsemi Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

安森德 深圳安森德半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 15:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :ASDM30N120KQ-R

  • 生产厂家

    :ASDsemi

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 连续漏极电流(Id)

    :120A

  • 功率(Pd)

    :45W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :1.5V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :63nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :2.921nF@15V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :416pF@15V

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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