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ASD65R1K3E中文资料顺烨电子数据手册PDF规格书

ASD65R1K3E
厂商型号

ASD65R1K3E

功能描述

MOSFET Silicon N-Channel MOS

丝印标识

ASD65R1K3E

封装外壳

TO252

文件大小

2.85175 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 Changzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.
企业简称

SY顺烨电子

中文名称

江苏顺烨电子有限公司官网

原厂标识
SY
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:01:00

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ASD65R1K3E规格书详情

Applications

Soft Switching Boost PFC switch, Half bridge or Asymmetric half bridge or

Series resonance half bridge and full bridge topologies.

Such as phase-shift-bridge(ZVS),LLC Application-Server Power,

Telecom Power, EV Charging,Solar inverter.

特性 Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.16Ω (typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.5 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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