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ASB65R220E中文资料顺烨电子数据手册PDF规格书

ASB65R220E
厂商型号

ASB65R220E

功能描述

MOSFET Silicon N-Channel MOS

丝印标识

ASB65R220E

封装外壳

TO263

文件大小

2.49144 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 Changzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.
企业简称

SY顺烨电子

中文名称

江苏顺烨电子有限公司官网

原厂标识
SY
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:32:00

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ASB65R220E规格书详情

Applications

Boost PFC switch, single-ended flyback ortwo-transistor forward,

Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge topologies.

PC power, Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power,

Telecom power and UPS application.

特性 Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.19Ω (typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 2.8 to 4.2 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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