AS7C31025B-12TJIN集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	AS7C31025B-12TJIN
参数属性	AS7C31025B-12TJIN 封装/外壳为32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
功能描述	3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
封装外壳	32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
文件大小	99.11 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Alliance Semiconductor Corporation
企业简称	ALSC
中文名称	Alliance Semiconductor Corporation官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 23:00:00
人工找货	AS7C31025B-12TJIN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

AS7C31025B-12TJIN规格书详情

Functional description

The AS7C31025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) device organized as 131,072 x 8 bits. It is designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired.

特性 Features

• Industrial and commercial temperatures

• Organization: 131,072 x 8 bits

• High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

• Low power consumption: ACTIVE

- 252 mW / max @ 10 ns

• Low power consumption: STANDBY

- 18 mW / max CMOS

• 6 T 0.18 u CMOS technology

• Easy memory expansion with CE, OE inputs

• Center power and ground

• TTL/LVTTL-compatible, three-state I/O

• JEDEC-standard packages

- 32-pin, 300 mil SOJ

- 32-pin, 400 mil SOJ

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

产品属性

产品编号：
AS7C31025B-12TJIN
制造商：
Alliance Memory, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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