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AS6C4008-55BIN集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AS6C4008-55BIN |
| 参数属性 | AS6C4008-55BIN 封装/外壳为36-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
| 功能描述 | 512K X 8 BIT LOW POWER 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM |
| 封装外壳 | 36-TFBGA |
| 文件大小 |
2.75857 Mbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | ALSC |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | AS6C4008-55BIN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AS6C4008-55BIN规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The AS6C4008 is a 4,194,304-bit low power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 8 bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature.
FEATURES
Access time : 55 ns
Low power consumption:
Operating current : 30 mA(TYP.)
Standby current : 4 µA(TYP.)
Single 2.7V~ 5.5Vpower supply
All outputs TTL compatible
Fully static operation
Tri-state output
Data retention voltage :1.5V(MIN.)
All products ROHS Compliant
Package : 32-pin 450 mil SOP;32-pin 600 mil P-DIP
32-pin 8mm x 20mm TSOP-I
32-pin 8mm x 13.4mm STSOP
36-ball 6mm x 8mm TFBGA
32-pin 400 mil TSOP-II
产品属性
- 产品编号：
AS6C4008-55BIN
- 制造商：
Alliance Memory, Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
4Mb（512K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
55ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
36-TFBGA
- 供应商器件封装：
36-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Alliance Memory |
24+ |
SOJ36 |
7350 |
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询价 | ||
ALLIANCE |
18+ |
DIP |
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ALLIANCE |
20+ |
DIP32 |
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ALLIANCEMEMORYINC |
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NA |
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Alliance Memory, Inc. |
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AllianceMemory |
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ALLIANCE |
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Alliance Memory Inc. |
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9000 |
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ALLIANCE |
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DIP32 |
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